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比較3種電容柜投切開關(guān)的優(yōu)缺點(diǎn)

來源:希拓電氣(常州)有限公司    日期:2020-09-07    瀏覽量:載入中...

隨著低壓無功補(bǔ)償裝置的廣泛應(yīng)用,如何選擇電容柜投切開關(guān)便成為備受關(guān)注的問題。目前主要有3種電容柜投切開關(guān)裝置,分別是切換電容接觸器、晶閘管投切開關(guān)、復(fù)合開關(guān)。每種電容柜投切開關(guān)都各有優(yōu)越點(diǎn),建議用戶通過對各種電容投切裝置性能比較,根據(jù)工程上的要求來有目的地進(jìn)行選型。以實(shí)現(xiàn)滿意的技術(shù)經(jīng)濟(jì)性能。


1、機(jī)械式接觸器投切電容裝置
接觸器投切過程中,電容器的初始電壓為零,觸點(diǎn)閉合瞬間,絕大多數(shù)情況下電壓不為零、有時可能處在高峰值,極少為零,因而產(chǎn)生非常大的電流,也就是常說的合閘涌流。實(shí)驗(yàn)表明合閘涌流嚴(yán)重時可達(dá)電容器額定電流的50倍。這不僅影響電容器和接觸器的壽命,而且對電網(wǎng)造成沖擊,影響其它設(shè)備的正常工作。因此,后來采用串接電抗器和加入限流電阻來抑制涌流,這雖然可以控制合閘涌流在額定電流的20倍以內(nèi),但從長期運(yùn)行情況來看,其故障率仍然非常高,維修費(fèi)用較高??偟膶?shí)踐應(yīng)用反映,其價(jià)格低,初期投入成本上升少,無漏電, 缺點(diǎn)是涌流大、壽命短、故障多、維修費(fèi)用高。 

2、電子式無觸點(diǎn)可控硅投切電容器裝置
可控硅投切電容器是利用了電子開關(guān)反應(yīng)速度快的特點(diǎn)。采用過零觸發(fā)電路,檢測當(dāng)施加到可控硅兩端電壓為零時,發(fā)出觸發(fā)信號,可控硅導(dǎo)通。此時電容器的電壓與電網(wǎng)電壓相等,因此不會產(chǎn)生合閘涌流,解決了接觸器合閘涌流的問題。但是,可控硅在導(dǎo)通運(yùn)行時,可控硅結(jié)間會產(chǎn)生一伏左右的壓降。通常15KVAR三角形接法的電容器,額定電流22A,則一個可控硅消耗功率約為22W。如以一個150KVAR電容柜來算,運(yùn)行時可控硅投切裝置消耗的功率可達(dá)600W,而且都變成熱量使機(jī)柜溫度升高。同時可控硅有漏電流存在,未接電容時,即使可控硅未導(dǎo)通,其輸出端也是高電壓。其優(yōu)點(diǎn)是無涌流、無觸點(diǎn)、使用壽命長、維修少、投切速度快在5ms內(nèi),缺點(diǎn)是價(jià)格高為接觸器的3倍。 



電容柜投切開關(guān)

3、復(fù)合開關(guān)投切電容裝置
復(fù)合開關(guān)投切裝置工作原理是先由可控硅在電壓過零時投入電容器,然后再由磁保持繼電器觸點(diǎn)并聯(lián)閉合,可控硅退出,電容器在磁保持繼電器觸點(diǎn)閉合下運(yùn)行。因而實(shí)現(xiàn)了投入無涌流運(yùn)行不發(fā)熱的目的。但為了降低成本,通常選用兩只小功率,低耐壓可控硅串聯(lián)使用,利用可控硅20ms內(nèi)電流可過載10倍額定電流的特性過零投入,再用繼電器閉合運(yùn)行。而磁保持繼電器觸點(diǎn)偏小且額定機(jī)械壽命一般為5萬次,從目前投入市場使用情況看,可控硅時有擊穿,磁保持繼電器也有卡住不動作現(xiàn)象,工作不夠穩(wěn)定??偟闹v,優(yōu)點(diǎn)是無涌流、不發(fā)熱、節(jié)能、其缺點(diǎn)是價(jià)格高為接觸器的5倍、壽命短、故障較多、有漏電流、投切速度0.5s左右。 



從以上分析提出建議如下: 
1、用于無功量比較穩(wěn)定,不需要頻繁投切電容補(bǔ)償?shù)挠脩簦蛇x用帶限流電阻的接觸器投切電容裝置,這種裝置比較經(jīng)濟(jì)、價(jià)格低。由于投切次數(shù)少,相應(yīng)壽命就夠長了。 
2、對于需要快速頻繁投切電容補(bǔ)償的用戶,比如電焊、電梯等設(shè)備,應(yīng)選用無觸點(diǎn)可控硅投切電容裝置,才能達(dá)到應(yīng)有的補(bǔ)償效果。 
3、對于其他一般工廠、小區(qū)和普通設(shè)備,無功量變化時間大于30s的地區(qū),則考慮選用對電網(wǎng)無沖擊、節(jié)能、安全、經(jīng)濟(jì)、使用壽命長的無涌流電容投切器。

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