一種以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件，由于它特性類似于真空閘流管，所以國(guó)際上通稱為硅晶體閘流管，簡(jiǎn)稱可控硅T。又由于可控硅最初應(yīng)用于可控整流方面所以又稱為硅可控整流元件，簡(jiǎn)稱為可控硅SCR。

 

在性能上，可控硅不僅具有單向?qū)щ娦?，而且還具有比硅整流元件（俗稱“死硅”）更為可貴的可控性。它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài)。

可控硅能以毫安級(jí)電流控制大功率的機(jī)電設(shè)備，如果超過(guò)此頻率，因元件開(kāi)關(guān)損耗顯著增加，允許通過(guò)的平均電流相降低，此時(shí)，標(biāo)稱電流應(yīng)降級(jí)使用。

 

可控硅的優(yōu)點(diǎn)：

1.以小功率控制大功率，功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬(wàn)倍；

2.反應(yīng)極快，在微秒級(jí)內(nèi)開(kāi)通、關(guān)斷；

3.無(wú)觸點(diǎn)運(yùn)行，無(wú)火花、無(wú)噪音；

4.效率高，成本低等等。

 

可控硅從外形上分類主要有：螺栓形、平板形和平底形。

 

可控硅元件的結(jié)構(gòu)：

不管可控硅的外形如何，它們的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結(jié)構(gòu)。見(jiàn)圖1。它有三個(gè)PN結(jié)（J1、J2、J3），從J1結(jié)構(gòu)的P1層引出陽(yáng)極A，從N2層引出陰級(jí)K，從P2層引出控制極G，所以它是一種四層三端的半導(dǎo)體器件。

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