歡迎您來(lái)到希拓電氣官網(wǎng)!

承接可控硅開(kāi)關(guān)OEM/ODM

電能質(zhì)量解決方案專(zhuān)業(yè)提供商

售前咨詢熱線:

0519-85112622

行業(yè)新聞

首頁(yè) > 新聞資訊 > 行業(yè)新聞

電容切換接觸器有哪些弊端?

來(lái)源:希拓電氣(常州)有限公司    日期:2019-11-12    瀏覽量:載入中...

      以前由于技術(shù)所限,低壓補(bǔ)償并聯(lián)電容器的投切開(kāi)關(guān)基本上采用的都是交流接觸器,電容切換接觸器的優(yōu)點(diǎn)是成本低、控制簡(jiǎn)單、使用方便,缺點(diǎn)是投切時(shí)會(huì)產(chǎn)生較大的涌流和過(guò)電壓,其大小與感性負(fù)載的大?。ㄈ缱儔浩鞯亩搪啡萘?、阻抗、電容器的容量,交流接觸器的性能有關(guān)。切除時(shí)易產(chǎn)生電弧,觸點(diǎn)易于燒毀、壽命較短,不適用于頻繁投切的場(chǎng)合。

      電容器投切專(zhuān)用交流接觸器是為了減輕涌流對(duì)交流接觸器的影響而設(shè)計(jì)的,其與普通交流接觸器的不同之處是將普通接觸器觸點(diǎn)加以改善,配上抑制投切電流的電阻,采用并聯(lián)開(kāi)關(guān)分步投切的方法,先合上帶電阻的開(kāi)關(guān)再合上不帶電阻的開(kāi)關(guān)來(lái)減少投切過(guò)程中產(chǎn)生的涌流和過(guò)電壓。由于其只能降低投切過(guò)程中產(chǎn)生的涌流和過(guò)電壓,并不能從根本上解決問(wèn)題,在電容器容量相對(duì)較大時(shí),仍然會(huì)產(chǎn)生很大的涌流,因而其應(yīng)用仍然受到一定的限制。

      由于上述兩種交流接觸器在應(yīng)用于低壓并聯(lián)電容器投切時(shí)存在著不可克服的涌流問(wèn)題和觸點(diǎn)的燒蝕問(wèn)題,對(duì)電容器和裝置的壽命有較大的影響,所以其在電容器投切領(lǐng)域的應(yīng)用越來(lái)越少,正逐步被功率電子開(kāi)關(guān)所替代。但由于其價(jià)格低廉,在某些技術(shù)要求較低、電網(wǎng)波形岐變嚴(yán)重不適于應(yīng)用電力電子開(kāi)關(guān)的場(chǎng)合仍有使用,需安排人巡查、定時(shí)更換。


電容補(bǔ)償晶閘管開(kāi)關(guān)


      目前,電容器投切專(zhuān)用交流接觸器正在被逐漸被取代,市面上的替代產(chǎn)品主要有兩種,一種是可控硅開(kāi)關(guān),一種是復(fù)合開(kāi)關(guān)。復(fù)合開(kāi)關(guān)實(shí)際是接觸器和晶閘管開(kāi)關(guān)的中間產(chǎn)品,克服了交流接觸器的弊端,也有部分晶閘管開(kāi)關(guān)的優(yōu)點(diǎn),但是其最大的問(wèn)題還是投切速度不夠快,仍然屬于靜態(tài)投切開(kāi)關(guān),在很多需要采用動(dòng)態(tài)電容補(bǔ)償方案中還是要采用晶閘管開(kāi)關(guān)。希拓電氣的可控硅開(kāi)關(guān)技術(shù)源自德國(guó),我司在充分消化吸收德國(guó)技術(shù)和先進(jìn)制造工藝的基礎(chǔ)上,研制出了擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的新一代晶閘管投切模塊。模塊主要由雙向晶閘管,觸發(fā)電路,吸收電路,保護(hù)電路,智能型散熱片組成。自主專(zhuān)利技術(shù)保證電壓過(guò)零觸發(fā),電流過(guò)零斷開(kāi),真正實(shí)現(xiàn)投切無(wú)涌流,跟隨速度快,有效補(bǔ)償沖擊性負(fù)荷,平均響應(yīng)時(shí)間小于15ms,很好地取代傳統(tǒng)投切裝置。

HOCKABk8wu7AemRNA80UqU+L5UOhcZo8RdUrGWqR8xh0aKxcDAlnAbE21usGLBTY2iqxnc9qvPB0USb86yZp6zz3n7u/pBEGUQiuwqLNV5oXODw0m6/l/hOIbI7ZBqtdLKvm7KWUXeHtCXXhwGm+jnEKbHUcEBgqZQlEVvT3HdRnPj5bFL+Cd+NY7bp8mnJ4RdPFs4baV4VWE6JjzRckxE1irFWeY8e6