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可控硅開關比復合開關和接觸器好在哪?

來源:希拓電氣(常州)有限公司    日期:2019-10-14    瀏覽量:載入中...

一、 可控硅開關特點
一般用于TSC技術的低壓動態(tài)補償用的可控硅開關都采用大功率晶閘管反并聯(lián)封裝,其額定電流可達數(shù)百安培,反向耐壓可達1800v以上。由于其具有電力電子器件的特性,因此在通過檢測電壓過零點時給可控硅觸發(fā)信號實現(xiàn)無觸點、無涌流投切,并且響應時間快,在半個波形周期內就能實現(xiàn)觸發(fā)導通。由于可控硅屬半導體器件,通態(tài)電流比較大時,會有一定的發(fā)熱。


二、 復合開關特點
復合開關又叫機電一體化開關,是由交流接觸器和可控硅相并聯(lián)封裝而成。其導通利用可控硅實現(xiàn)無涌流投切,投切完成后再將交流接觸器主回路閉合,并退出可控硅。這一優(yōu)點是運行時發(fā)熱相對于可控硅稍小一些。

復合開關因交流接觸器與可控硅的相互制約導致無法實現(xiàn)較大的通態(tài)電流,反向耐壓只能達到1600v并且投切過程復雜,可控硅開斷頻繁,容易被擊穿,造成故障率較高,一般用于農(nóng)網(wǎng)臺區(qū)的小容量補償。


三、兩者應用的差異分析

首先從運行維護上考慮,通常用三只單相的可控硅固定在鋁合金強制風冷散熱模塊上,后期維護方便,如出現(xiàn)某只可控硅損壞可快速更換,其他可控硅可繼續(xù)使用。由于復合開關采用交流接觸器與可控硅小形三端封裝,如內部任意部件出現(xiàn)故障,只能將整體更換,后期維護費用高。

從造價上考慮,假設某一套補償裝置容量360kvar,如采用復合開關,其單組最大容量為30kvar,也就是該套裝置需要分12個支路,而選用可控硅作為投切開關,其最大單組容量為90kvar,如按照30+60+90+90+90分組可在實現(xiàn)同樣補償效果的前提下減少7個支路,因此減小了一定的造價。

從安裝上考慮,在配電抗器的前提下,以1000*1000*2200的GCK柜體為例,采用復合開關安裝12支路,將需要兩面柜體。如采用可控硅作為投切開關只需一面柜體即可。


四、 希拓電氣可控硅開關

電容補償晶閘管開關

STT標準型晶閘管投切模塊技術源自德國,我司在充分消化吸收德國技術和先進制造工藝的基礎上,研制出了擁有自主知識產(chǎn)權的新一代晶閘管投切模塊。模塊主要由雙向晶閘管,觸發(fā)電路,吸收電路,保護電路,智能型散熱片組成。自主專利技術保證電壓過零觸發(fā),電流過零斷開,真正實現(xiàn)投切無涌流,跟隨速度快,有效補償沖擊性負荷,平均響應時間小于15ms,很好地取代傳統(tǒng)投切裝置。


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