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0519-85112622 正確選用低壓無功補償電容投切裝置對于保證低壓無功補償設(shè)備的可靠性、經(jīng)濟型及補償效果有著十分重要的意義。目前在我國投入使用的低壓無功補償電容投切裝置主要有以下三種:
①接觸器投切電容裝置
以接觸器為投切開關(guān)的低壓電容無功補償裝置,不宜頻繁進行電容器的投切。否則,投切時所產(chǎn)生的過電壓和沖擊電流將對自愈式電容器造成危害,使容量下降,以及絕緣老化加速等,最終使電容器早期損壞。
②晶閘管投切電容裝置③復(fù)合開關(guān)投切電容裝置
電容常見的投切方式對比
接觸器方式投切方式一
優(yōu)點:價格低、初期成本低
缺點:涌流大(易對電容造成傷害),動作時間長,故障高,維修頻繁
復(fù)合開關(guān)投切方式二
優(yōu)點:無涌流,不發(fā)熱,造價經(jīng)濟
缺點:硅片薄,易擊穿燒毀;磁保繼電器有卡主現(xiàn)象
友商晶閘管(可控硅)投切方式三
優(yōu)點:過零投切,無涌流,無觸點,壽命長,維修少
希拓電氣晶閘管模塊(三相)技術(shù)源自德國,我司在充分消化吸收德國技術(shù)和先進制造工藝的基礎(chǔ)上,研制出了擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的新一代晶閘管投切模塊。模塊主要由雙向晶閘管,觸發(fā)電路,吸收電路,保護電路,智能型散熱片組成。自主專利技術(shù)保證電壓過零觸發(fā),電流過零斷開,真正實現(xiàn)投切無涌流,跟隨速度快,有效補償沖擊性負荷,平均響應(yīng)時間小于18ms,很好地取代傳統(tǒng)投切裝置。